Номер детали производителя : | 1N4150 TR |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4150 TR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4150 TR |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N4150 TR.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1V @ 200mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50V |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 6ns |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Другие названия | 1N4150 CT 1N4150 CT-ND 1N4150CSCT |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 21 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100nA @ 50V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GP REV 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35